實時訪問差分存儲器的方法、差分存儲器和電子系統與流程

文檔序號:18171952發布日期:2019-07-13 09:53
實時訪問差分存儲器的方法、差分存儲器和電子系統與流程

本申請要求于2018年1月5日提交的意大利申請第 102018000000581號的權利,其申請通過引用并入本文。

本申請與于2018年1月5日提交的意大利申請第 102018000000580號同時提交,該申請也通過引用并入本文。

技術領域

本發明總體上涉及電子系統和方法,并且在具體實施例中,涉及一種實時訪問差分存儲器的方法、差分存儲器和電子系統。



背景技術:

眾所周知,非易失性相變存儲器(PCM)表示一代集成存儲器,其中通過利用相變材料來獲得信息的存儲,相變材料具有能夠在相位之間切換的特性,這些相位具有顯著不同的值的電阻率。具體地,這些材料可以在具有高電阻率的非晶相和具有低電阻率的結晶相或多晶相之間切換。因此,在相變存儲器單元中,可以將被存儲在單元中的數據的不同值與單元的存儲器元件的相應相位相關聯。

例如,可以使用元素周期表第VI族的元素(諸如碲(Te)、硒 (Se)或銻(Sb)),它們被稱為“硫屬元素化物”或“硫屬元素材料”以用來形成相變存儲器元件。具體地,由鍺(Ge)、銻(Sb)和碲(Te)構成的被稱為GST(具有化學組成Ge2Sb2Te5)的合金目前在這種存儲器元件中找到了廣泛的用途。

可以通過局部地增加硫屬元素材料區域的溫度來獲得存儲器元件中的相位切換,例如,通過使編程電流通過被布置為與硫屬元素材料區域接觸的電阻電極(一般被稱為“加熱器”)。通過焦耳效應產生的電流生成對于相變所需的溫度分布。具體地,當硫屬元素材料處于具有高電阻率(所謂的RESET狀態)的非晶態時,有必要施加持續時間和幅度的第一電流脈沖(所謂的SET脈沖),以使得硫屬元素材料能夠緩慢冷卻。經過這種處理后,硫屬元素材料改變狀態并從高電阻率狀態轉變為低電阻率結晶態(所謂的SET狀態)。相反地,當硫屬元素材料處于SET狀態中時,有必要施加大振幅和短持續時間的第二電流脈沖(所謂的RESET脈沖),以使硫屬元素材料返回到高電阻率非晶態中。

在已知類型的PCM電路中,可以通過向硫屬元素材料的存儲器元件施加足夠低的電壓以不引起其可感覺到的熱、然后通過讀取存儲器單元中流動的電流的值,來執行對被存儲在存儲器單元中的數據的讀取。給定電流與硫屬元素材料的電導率成比例,則可以確定材料處在哪個相位中,并因此獲得被存儲在存儲器單元中的數據。

以已知的方式,差分類型的PCM通常根據具有按行(字線)和列(位線)布置的存儲器單元的陣列的方案來設計。每個存儲器單元由相變存儲元件和被串聯連接的選擇器晶體管提供?;谠谳斎胩幩邮盏牡刂愤壿嬓盘柡突蚨嗷蛏購碗s的解碼方案,列解碼器和行解碼器使得每次被尋址時能夠選擇存儲器單元,并且具體是選擇對應的字線和位線。

列解碼器包括多個模擬選擇開關(利用晶體管來實現),其在它們相應的控制端子上接收地址信號。選擇開關根據層級中的樹結構來布置,并且它們在每個層級中的數目與存儲器陣列的布置和大小相連接。一旦被啟用,選擇開關就使得可以根據要被實施的操作將所選擇的位線拉至確定的電壓值和/或電流值。具體地,在編程階段或讀取階段與所選擇的位線之間創建電流路徑。電流路徑由一定數目的一系列系列選擇開關定義。

以已知的方式,感測放大器執行對被存儲在存儲器單元中的數據的讀取,比較在所選擇的存儲器單元中流動的電流(或與其相關的電量)與由參考電流生成器(單端讀取)和/或由一個或多個參考單元提供的參考電流,該參考電流被用于整個存儲器陣列。單端讀取通常在核實已發生單元編程期間或者在測試期間被使用。在正常使用存儲器期間,采用雙端(差分)類型的讀取,其中感測放大器將在所選擇的存儲器單元中流動的電流同在與差分架構中所選擇的存儲器單元相關聯的相應單元中流動的電流進行比較。

為了執行單端讀取,感測放大器的一個輸入接收待讀取的存儲器單元的電流,而感測放大器的另一輸入接收由參考電流生成器提供的參考電流。

只要數據以冗余方式被存儲并且它們不要求生成參考電流,并且只要通過簡單地比較在與相同位相關聯的單元中流動的相應電流來執行讀取,對于差分類型的PCM的讀取架構在可靠性方面就具備優勢。

在單端模式中,可以獨立地讀取和寫入通常與用于執行差分讀取相關聯的兩個存儲器單元。實際上,當其以單端模式被操作時,每個存儲器單元具有的值可以獨立于其他存儲器單元的值,并且因此可以使可被存儲在PCM中的數據量加倍。

在單端模式中所使用的PCM設備的缺點在于,在單端模式中,所存儲的邏輯數據隨時間的退化可能無法得到補償,并且在沒有定期刷新操作的情況下,相關聯的信息被丟失。相反,當PCM被用于雙端模式中時,所有邏輯數據都會經歷時間上的共模降級,并且因此,經由差分讀取,在任何情況下都可以獲得期望的信息內容,抵消由于共模降級引起的偏移。

為了防止存儲器單元中的任何數據丟失,盡管繼續使用單端模式,但是有利的是周期性地刷新存儲器單元。刷新方法對于基于快速寫入技術的架構是已知的,諸如動態隨機存取存儲器(DRAM),其中對于每次寫入操作所需的時間是納秒量級的。在這些方法中,要被刷新的數據在其丟失之前被定期讀取和重寫。

相反地,在已知類型的PCM技術中,寫入操作的持續時間在幾微秒的范圍內,具體地為10微秒。因此,如果整個存儲器組被用于要求實時訪問(讀取和/或寫入)存儲器的應用,則不可以更新整個存儲器組。



技術實現要素:

一些實施例提供了對在單端模式下操作的差分存儲器的實時訪問的管理方法、可以在單端模式下操作的差分存儲器、以及包括將能夠克服現有技術的缺點的差分存儲器的電子系統。

在一些實施例中,差分存儲器是相變存儲器。在一些實施例中,差分存儲器可以在單端模式下操作,即相對于傳統使用的差分存儲器訪問兩倍數目的地址空間。

根據實施例,差分存儲器(諸如相變存儲器)包括第一主存儲器模塊和輔助存儲器模塊,第一主存儲器模塊存儲要刷新的第一邏輯數據。在一些實施例中,差分存儲器在單端模式下操作。在一些實施例中,通過將第二邏輯數據存儲在輔助存儲器模塊中來操作差分存儲器,復制第一邏輯數據;刷新第一邏輯數據;并且響應于用于讀取第一邏輯數據的請求,在刷新第一邏輯數據的步驟期間提取第二邏輯數據,以及在其他情況下提取第一邏輯數據。

附圖說明

為了更好地理解本發明,現在描述其優選實施例,完全通過非限制性示例,參考所附的附圖,其中:

圖1是根據本發明的一個實施例的非易失性存儲器設備的一部分的示意圖;

圖2通過框圖示意性地示出了用于刷新圖1的非易失性存儲器設備的方法;

圖3示出了對應于圖1的非易失性存儲器設備的一部分的電路,其被包括在圖1的部分中;

圖4A-圖4E示出了在圖2的方法的各個步驟中的圖3的電路,其中用于實現方法的相應步驟的特別重要的電路連接用粗線來突出顯示;以及

圖5示出了包括圖1的非易失性存儲器設備的電子系統。

具體實施方式

在圖1中被示意性地表示并且由附圖標記1整體指定的是存儲器設備的一部分,具體是非易失性存儲器。根據本發明的實施例,存儲器1是差分類型,具體是PCM類型。非易失性存儲器設備1被限制地僅示出了用于理解本公開所需的部分。

具體地,非易失性存儲器設備1包括存儲器陣列2,其由多個“n”個主存儲器模塊4a-4n構成。每個主存儲器模塊4a-4n包括第一子模塊4a'-4n'和第二子模塊4a”-4n”。具體地,每個第一子模塊4a'-4n'均包括多個存儲器單元,并且每個第二子模塊4a”-4n”均包括多個相應的存儲器單元。

以本身已知的方式并且未在圖1中被示出,多個第一存儲器單元存儲二進制類型的相應邏輯數據。關于數目和制造特性,多個第二存儲器單元對應于多個第一存儲器單元,并且被配置為存儲與被存儲在相應的多個第一存儲器單元中的邏輯數據互補的相應邏輯數據,以便能夠差分讀取邏輯數據。

在任何情況下,除差分模式之外,每個主存儲器模塊4a-4n均可以在單端模式下被使用,使得被存儲在每個第二子模塊4a”-4n”的多個存儲器單元中的邏輯數據不與被存儲在相應的第一子模塊4a'-4n'的多個存儲器單元中的邏輯數據互補,而是與其他信息數據互補。以這種方式,可以使存儲器陣列2的總容量加倍。

非易失性存儲器設備1還包括輔助存儲器模塊6。具體地,輔助存儲器模塊6在結構上和操作上對應于每個主存儲器模塊4a-4n,并且因此由第一子模塊6'和第二子模塊6”形成。具體地,第一子模塊 6'包括多個存儲器單元,并且第二子模塊6”包括多個相應的存儲器單元,這些存儲器單元可以被尋址,并且因此可以被用于單端模式中。

另外,非易失性存儲器設備1包括控制器8,其被可操作地耦合到存儲器陣列2和輔助存儲器模塊6??刂破?被配置為實現在存儲器陣列2和輔助存儲器模塊6中讀取和寫入邏輯數據的方法。

此外,非易失性存儲器設備1包括總線10??刂破?、主存儲器模塊4a-4n和輔助存儲器模塊6各自通過相應的通信線路12a-12e被耦合到總線10,如下文更詳細地描述的,使得能夠在控制器8、主存儲器模塊4a-4n和輔助存儲器模塊6之間傳輸數據和控制信號。

此外,非易失性存儲器設備1包括控制器接口14??刂破鹘涌?14被耦合到控制器8,以便經由通信線路13向控制器8發送要被寫入存儲器陣列2中的邏輯數據。

另外,非易失性存儲器設備1包括存儲器陣列接口16。存儲器陣列接口16經由相應的通信線路12f被耦合到總線10。非易失性存儲器件1的用戶可以經由存儲器陣列接口16獲得對例如在讀取中被存儲在非易失性存儲器設備1中的數據的訪問。

圖2通過框圖示意性地示出了刷新存儲器陣列2的方法。該刷新方法首先包括選擇要被刷新的主存儲器模塊4a-4n的步驟20。通過示例,在步驟20的過程中,選擇主存儲器模塊4a。

步驟20之后是步驟22,其中控制器8讀取被包含在步驟20中所選擇的主存儲器模塊4a中的數據。具體地,以對非易失性存儲器設備1的用戶透明的方式來執行步驟22,其可以通過尋址任何主存儲器模塊4a-4n的任何單元來請求讀取操作。在用戶請求同時訪問主存儲器模塊4a到步驟22的情況下,發生對讀取時間具有可忽略的影響的臨時沖突。具體地,當用戶在讀取中可以訪問主存儲器模塊4a時,控制信號READY假定邏輯值為“0”;在讀取結束時,控制信號READY 假定邏輯值為“1”??刂破鹘涌?4可以訪問控制信號READY。如果在步驟22的過程中控制信號READY的值為“0”(即,由用戶的讀取正在進行中),則控制器接口14將讀取操作推遲到用戶的讀取操作結束,并且將控制信號READY設置為值“0”,直到其自身的讀取操作結束為止。如果在步驟22的過程中,控制信號READY的值為“1”(即,由用戶對主存儲器模塊4a的讀取訪問不在進行中),則控制器接口14將控制信號READY設置為值“0”,直到其自身的讀取操作結束為止,使得用戶在讀取操作期間可能無法獲得訪問,并且因此防止了沖突。在任何情況下,在其自身的讀取操作結束時,控制器接口14將控制信號READY設置為邏輯值“1”。

步驟22之后是步驟24,其中控制器8在輔助存儲器模塊6中寫入在步驟22中被讀取的數據。具體地,主存儲器模塊4a的整體內容被復制到輔助存儲器模塊6中。出于此目的,可能有必要在若干循環中重復步驟22和24的繼續,直到復制整體內容。此外,為了保持被包含在存儲器陣列2中的數據的一致性,控制器8在該步驟中防止執行寫入存儲器陣列2的操作。

步驟24之后是步驟26,其中由用戶用于讀取主存儲器模塊4a的信息內容的請求被重新尋址到輔助存儲器模塊6。

步驟26之后是步驟28,其中主存儲器模塊4a的內容被物理地刷新,即,其內容被讀取和重寫。根據本發明的方面,在步驟28期間,用戶可以訪問輔助存儲器模塊6以便讀取其內容,如上所述,其對應于主存儲器模塊4a的信息內容。

以這種方式,用戶可以不間斷地訪問整個存儲器陣列2的信息內容,使其能夠用于實時應用。

步驟28之后是步驟30,其中用于讀取先前在步驟26中被重新尋址到輔助存儲器模塊6的主存儲器模塊4a的內容的請求再次被尋址到主存儲器模塊4a。

在步驟30之后,可以返回到步驟20,以便選擇要被刷新的新主存儲器模塊4a-4n。例如,控制器8可以根據預先設定的時間間隔來周期性地并且以順序方式選擇每個主存儲器模塊4a-4n。具體地,這些時間間隔具有與非易失性存儲器設備1的每個存儲器單元的保持時間兼容的持續時間,以使得能夠不間斷地使用存儲器陣列2的單端模式。具體地,存儲器單元的保持時間是在單元中寫入邏輯數據與在數據被過度降級之后不再可讀的時刻之間所經過的持續時間。

圖3更詳細地示出了圖1的非易失性存儲器設備1的一部分,非易失性存儲器設備1包括主存儲器模塊4a、輔助存儲器模塊6、控制器8和存儲器陣列接口16。具體地,非易失性存儲器設備1還包括多個多路復用器,其被設計為使針對非易失性存儲器設備1的用戶的刷新操作透明。

控制器8還被配置為生成第一控制信號BUSY、第二控制信號 BUSY_SP和第三控制信號SCOMM,以用于控制在下文中更全面地描述的多個多路復用器。

控制器8還被配置為經由輸入信號SDATA_IN接收被包含在主存儲器模塊4a和輔助存儲器模塊6中的數據。具體地,信號SDATA_IN 是信號SMAIN_O(其承載被包含在主存儲器模塊4a中的數據)和 SSPARE_O(其承載被包含在輔助存儲器模塊6中的數據)中的信號之一,這些信號經由通過第一控制信號BUSY控制的多路復用器32 而被選擇。出于此目的,多路復用器32被耦合到主存儲器模塊4a和輔助存儲器模塊6,以用于分別接收信號SMAIN_O和信號 SSPARE_O。例如,在寫入輔助存儲器模塊6的操作之后,讀取信號 SSPARE_O,以便核實寫入操作已被正確執行。否則,根據已知的步驟,執行后續的寫入操作。

具體地,多路復用器32經由第一緩沖器33的插入而被耦合到輔助存儲器模塊6,以便減少與輔助存儲器模塊6相關聯的傳播時間。

控制器8還被配置為:向主存儲器模塊4a發送輸出信號 SDATA_OUT',該輸出信號承載從主存儲器模塊4a讀取的數據,以便實現圖2的方法的步驟28;并且向輔助存儲器模塊6發送輸出信號SDATA_OUT”,該信號承載從主存儲器模塊4a讀取的數據,以便實現圖2的方法的步驟24。

控制器8還被配置為生成信號SA',其包含主存儲器模塊4a的存儲器單元之一的地址。信號SA'被提供至由第一控制信號BUSY控制的多路復用器34的輸入。多路復用器34還從存儲器陣列接口16接收信號SINT_O,該信號包含用于執行主存儲器模塊4a的傳統類型的一個存儲器單元的寫入操作的地址。根據其是執行圖2的刷新方法還是執行傳統類型的寫操作,第一控制信號BUSY使得能夠選擇輸入信號SA'、SINT_O之一,以便從多路復用器34的輸出生成信號SADDR'。

信號SADDR'被提供至主存儲器模塊4a,以用于尋址主存儲器模塊4a的一個存儲器單元,以便實現圖2的刷新方法的步驟24和28 之一。

因此,在來自主存儲器模塊4a的輸出處的信號SMAIN_O包含與由信號SADDR'尋址的主存儲器模塊4a的存儲單元中所包含的數據相對應的數據。

信號SMAIN_O還被提供至由第三控制信號SCOMM控制的多路復用器36。多路復用器38還在輸入處經由第一緩沖器33的插入而從輔助存儲器模塊6接收信號SSPARE_O。多路復用器38選擇信號 SMAIN_O、SSPARE_O中的一個以在輸入處生成去往存儲器陣列接口16的信號SINT_I。因此,信號SINT_I包含響應于來自用戶的讀取請求而被發送的數據。這些數據來自主存儲器模塊4a,或者在其刷新期間來自輔助存儲器模塊6。

控制器8還被配置為生成信號SA”,其包含輔助存儲器模塊6的一個存儲器單元的地址。信號SA”被提供至由第二控制信號BUSY_SP 控制的多路復用器38的輸入。多路復用器38還經由插入第二緩沖器 39在輸入處接收信號SADDR',以便減少與輔助存儲器模塊6相關聯的傳播時間。第二控制信號BUSY_SP使得能夠選擇輸入信號SA”、 SADDR'之一,以便在多路復用器38的輸出處生成信號SADDR”。具體地,在將主存儲器模塊4a的數據復制到輔助存儲器模塊6中的過程中,輸出信號SADDR”對應于輸入信號SA”(圖2的刷新方法的步驟24);并且在用戶在刷新主存儲器模塊4a的過程中請求讀取存儲器單元4a的信息內容的情況下(圖2的刷新方法的步驟28),輸出信號SADDR”對應于輸入信號SADDR'=SINT_O。

控制器8還被配置為向復用器40供應由時鐘發生器(圖3中未示出)生成的時鐘信號CLK。復用器40還在輸入處接收時鐘信號 CLKA(由圖3中未示出的另一時鐘發生器生成),該時鐘信號CLKA 表示主存儲器模塊4a的標準操作時鐘。復用器40由第一控制信號 BUSY控制,以便通過在主存儲器模塊4a的刷新期間在來自控制器8 的輸出處選擇信號CLK、并且在其他情況下選擇信號CLKA,來生成用作主存儲器模塊4a的時鐘的輸出信號。

在來自控制器8的輸出處的時鐘信號CLK還被供應給由第二控制信號BUSY_SP控制的復用器42。復用器42還在輸入處接收時鐘信號CLKA。復用器42通過在將主存儲器模塊4a的數據復制到輔助存儲器模塊6中期間(圖2的刷新方法的步驟24)選擇信號CLK、并且在刷新主存儲器模塊4a期間用戶請求讀取存儲器單元4a的信息內容的情況下(圖2的刷新方法的步驟28)選擇信號CLKA,來生成用作輔助模塊6的時鐘的輸出信號。

顯然,其他主存儲器模塊4b-4n在結構上等同于圖3的主存儲器模塊4a,并且經由相應的復用器而被可操作地耦合到控制器8、輔助存儲器模塊6、以及存儲器陣列接口16。此外,每個主存儲器模塊4a-4n 可以與相應的時鐘信號相關聯,該相應的時鐘信號例如與其他主存儲器模塊的時鐘信號不同。換言之,每個主存儲器模塊4a-4n可以相對于其他主存儲器模塊異步地操作,并且分別將在輸入處的相應的地址信號和時鐘信號發送到復用器38和42。

具體地,每個時鐘信號具有的其自身的頻率可以與其他時鐘信號的頻率不同。因此,可以控制輔助模塊6以用于根據每個時鐘信號的同步、并且因此根據相應的頻率來進行操作,以便在刷新期間重復主存儲器模塊的操作。

為了更詳細地描述圖2的刷新方法的一些步驟,圖4A-圖4E中的每個圖示出了圖3的非易失性存儲器件1在該方法的不同步驟期間的一部分。在圖4A-圖4E中的每個圖中,與在該方法的對應步驟中有效信號相對應的通信線路使用粗線來突出顯示,其中“有效信號”意指在該步驟期間傳送數據的信號、向數據傳送地址的信號、以及被設計為定時數據傳輸的時鐘信號。

具體地,圖4A涉及該方法的步驟22,其中控制器8讀取包含在主存儲器模塊4a中的數據。

在步驟22期間,控制器8生成第一控制信號BUSY,以便選擇信號SMAIN_O、SA'和CLK,這些信號因此由相應的復用器32、34、 40在輸出處供應。以這種方式,控制器8在輸入處接收信號 SDATA_IN,該信號SDATA_IN與由信號SA'尋址并被包含在主存儲器模塊4a中的存儲器單元中所包含的數據相對應??刂破?被配置為以這種方式讀取包含在主存儲器模塊4a中的所有數據,從而改變由信號SA'傳送的地址。

圖4B涉及該方法的步驟24,其中控制器8將在步驟22期間讀取的數據寫入輔助存儲器模塊6中。

在步驟24期間,控制器8生成第二控制信號BUSY_SP,以便選擇信號SA”和CLK,這些信號因此由相應的復用器38、42在輸出處供應。另外,控制器8向輔助存儲器模塊6發送輸出信號 SDATA_OUT”,其包含要寫入由信號SADDR”=SA”尋址的輔助存儲器模塊6的存儲器單元中的數據??刂破?被配置為以這種方式寫入先前(步驟22)從主存儲器模塊4a讀取的所有數據,從而改變由信號SA”傳送的地址。

圖4C涉及該方法的步驟26,并且表示由用戶讀取被重新尋址到輔助存儲器模塊6的主存儲器模塊4a的信息內容的操作。

在從步驟26的執行到步驟30的開始所經過的時間間隔中,控制器8生成第二控制信號BUSY_SP,以便選擇信號SINT_O、SADDR' 和CLKA,這些信號因此在相應的復用器34的輸出處供應。此外,控制器8生成第三控制信號SCOMM,以便選擇由復用器36在輸出處供應的信號SSPARE_O。以這種方式,每當處于用戶請求讀取與由信號SINT_O尋址的存儲器單元相關聯的主存儲器模塊4a的信息內容的時間間隔時,讀取被包含在由信號SADDR”=SADDR'=SINT_O 尋址的輔助存儲器模塊6的存儲器單元中的數據。由輔助存儲器模塊 6經由信號SSPARE_O而在輸出處提供的數據因此經由信號SINT_I 而被發送到存儲器陣列接口16。

圖4D涉及該方法的步驟28,其中主存儲器模塊4a的內容被刷新。

在步驟28的過程中,在第一子步驟(圖4D中未圖示)中,控制器8讀取由信號SADDR'=SA'尋址的主存儲器模塊4a的存儲器單元的數據。為此,如在圖4a中已經針對步驟22所示,控制器8生成第一控制信號BUSY,以便選擇信號SMAIN_O、SA'和CLK,這些信號因此由相應的復用器32、34、40在輸出處供應。

在控制器8接收到由信號SDATA_IN讀取并傳送的數據之后,執行圖4D中所示的步驟28的第二子步驟,其中控制器8繼續如在第一子步驟中生成第一控制信號BUSY,并且進一步向主存儲器模塊4a 發送輸出信號SDATA_OUT',其包含在第一子步驟中讀取的、并且將經由重寫而被物理刷新的數據。

控制器8被配置為針對被包含在主存儲器模塊4a中的每個數據來重復第一和第二子步驟。具體而言,可以在第一時間間隔中執行針對每個數據的第一子步驟,并且在第二時間間隔中執行第二子步驟。備選地,可以在針對一個數據的第一子步驟之后立即針對同一數據執行第二子步驟,并且然后傳遞到下一個數據。

圖4E涉及該方法的步驟30,并且示出了用戶讀取主存儲器模塊 4a的信息內容的操作。

在從執行步驟30到執行圖2的刷新方法的后續迭代的步驟26所經過的時間間隔中,控制器8控制復用器34、36、40,以便分別在輸出處選擇并供應信號SINT_O、SMAIN_O和CLKA。以這種方式,每當在時間間隔中用戶請求讀取與由信號SINT_O尋址的存儲器單元相關聯的主存儲器模塊4a的信息內容時,讀取被包含在由信號SADDR' =SINT_O尋址的主存儲器模塊4a的存儲器單元中的數據。由主存儲器模塊4a經由信號SMAIN_O而在輸出處供應的該數據因此經由信號SINT_I而被發送到存儲器陣列接口16。

圖5中所示的是根據本發明實施例的電子系統50的一部分。電子系統50可以用在電子設備中,諸如:車輛的電子控制單元;PDA (個人數字助理);便攜式或固定式計算機,可能具有無線數據傳輸能力;移動電話;平板電腦;智能電話;數字音頻播放器;攝影機或攝影機;或者能夠處理、存儲、發射和接收信息的其他設備。

詳細地,電子系統50包括控制器51(例如,設置有微處理器、 DSP或微控制器)以及上文描述的非易失性存儲器件1??蛇x地,電子系統50包括全部通過總線56而被耦合的以下當中的一個或多個:輸入/輸出設備52(例如,設置有鍵盤和顯示器),以用于輸入和顯示數據;無線接口54,例如天線,以用于通過射頻無線通信網絡來發射和接收數據;以及RAM 55。電池57可以用作電子系統50中的電源,該電子系統50可以進一步設置有照相機或攝影機58。

根據未在圖中示出的另一實施例,非易失性存儲器件1可以嵌入在控制器51中。

通過檢查本文描述和說明的本發明的特性,本發明提供的優點是顯而易見的。

具體地,本發明的刷新方法的實現使得能夠在單端模式中不間斷地使用差分類型的PCM,并且因此使得能夠在通常被耦合以用于在差分模式中讀取單個數據的存儲器單元中存儲不同的數據。

以這種方式,可以增加設計用于在差分模式中操作的PCM的總容量,而不會明顯增加其尺寸和成本。

此外,刷新方法以對用戶透明的方式執行,該刷新方法在讀取和寫入整個非易失性存儲器件的信息內容時具有不間斷的訪問,從而使得能夠將該刷新方法用于實時應用。

最后,清楚的是,可以對本文描述和示出的公開內容進行修改和變化,而不脫離如所附權利要求中限定的本發明的范圍。

例如,刷新方法可以應用于差分類型的任何存儲器,而不一定是基于相變技術的存儲器。

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