本申請要求2017年12月21日提交的申請號為10-2017-0176875的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。本發明的示例性實施例涉及存儲器件，并且更特別地涉及與修復相關的技術。在半導體存儲器件行業的早期階段，晶片上有很多好裸片，這意味著通過半導體制造工藝制造出了...

本申請要求于2017年11月24日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2017-0158829的優先權，該申請的公開以引用方式全文并入本文中。示例實施例一般性地涉及半導體集成電路。例如，至少一些示例實施例涉及一種半導體存儲器裝置和/或一種操作半導體存儲器裝置的方法，用于有效修復操...

本申請要求于2017年12月27日在韓國提交的韓國專利申請第10-2017-0181206號的優先權，出于所有目的如在本文中完全闡述地通過引用并入本文。本公開內容涉及移位寄存器、柵極驅動器電路、X射線檢測面板以及X射線檢測器。通常，利用X射線的透射特性通過對患者身體或物體的區域進行...

本申請要求于2018年1月4日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2018-0001052的韓國申請的優先權，其通過引用整體并入本文。各種實施例總體涉及一種存儲器系統，并且更特別地，涉及一種包括非易失性存儲器裝置的存儲器系統。存儲器系統可以被配置成響應于來自外部裝置的寫入請求，存儲...

本申請要求于2017年12月27日提交到韓國知識產權局的第10-2017-0181442號韓國專利申請的權益，所述韓國專利申請的公開內容通過引用全部合并于此。本發明構思的示例性實施例涉及存儲設備、存儲控制器和/或包括存儲設備和存儲控制器的存貯設備。例如，至少一些實例實施例涉及一種操作存儲設...

本發明大體來說涉及例如電子存儲系統等設備及方法，且更特定來說涉及例如電子存儲系統中的擦除操作。電子存儲系統可實施在電子系統中，例如計算機、手機、手持式電子裝置等。例如固態驅動器(SSD)等一些存儲系統可包含非易失性存儲器裝置。非易失性存儲器裝置通過在不被供電時仍存留所存儲數據來提供永久數據...

本發明屬于半導體，具體涉及一種非易失性存儲器的編程方法。非易失性存儲器是指關閉電源后，存儲器的數據仍然能夠保存，非易失性存儲器的結構包括存儲陣列和靈敏放大器、譯碼器等外部電路。非易失性存儲器按照可編程次數可以分為一次可編程非易失性存儲器(OTP)、有限次可編程非易失性存儲器(FTP...

本申請要求于2018年1月5日提交的意大利申請第102018000000581號的權利，其申請通過引用并入本文。本申請與于2018年1月5日提交的意大利申請第102018000000580號同時提交，該申請也通過引用并入本文。本發明總體上涉及電子系統和方法，并且在具體實施例中，涉及一種...

本發明涉及一種存儲器技術，尤其涉及一種存儲器裝置?，F今的電子裝置通常需要能夠迅速地處理大量數據，且對于電子裝置的尺寸也是希望朝向輕薄短小來設計。因此，使用于電子裝置中的半導體存儲器裝置也希望能夠在具備大容量的情形下仍有較小的體積。半導體存儲器裝置大致上可根據其操作性質而分類為易失性存儲器裝...

本發明的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及電阻式隨機存取存儲器件及其操作方法。用作存儲器件或包括存儲器部分的集成電路非常流行并且在電子世界中提供多種功能。電阻式隨機存取存儲器(RRAM)器件是使用半導體制造方法形成的非易失性存儲器型器件。RRAM器件與導電橋接RAM(CBRAM)和相...

本發明屬于半導體材料領域，更具體地，涉及一種二維GeTe單晶納米片及其制備方法，以及在相變存儲中的應用。在目前新型固態存儲器市場中，相變存儲器因具有響應速度快、存儲密度大、熱穩定性高、循環壽命長、集成度高以及兼容CMOS(ComplementaryMetalOxideSemicond...

本發明一般來說涉及存儲器，且特定來說在一或多個實施例中，本發明涉及操作存儲器以減輕電荷損失失效的方法。集成電路裝置橫跨寬廣范圍的電子裝置。一種特定類型包含存儲器裝置，通常簡單地稱為存儲器。存儲器裝置通常經提供作為計算機或其它電子裝置中的內部半導體集成電路裝置。存在許多不同類型的存儲器，包含...

計算設備機器學習應用可以計算大量的向量-向量點積(VVDP)。這樣大量的VVDP計算可能導致對應的大量存儲器訪問以存儲輸入、存儲中間值、計算歸約(reduction)、存儲歸約值等。與計算VVDP相關聯的大量存儲器訪問可能導致顯著的存儲器訪問延遲和/或消耗顯著大量的在處理單元和存儲器之間傳送數據的...

本發明涉及存儲器設備及形成存儲器設備的方法。許多電子系統(例如計算機及移動裝置)通常包含一或多個存儲器裝置以存儲信息。存儲器裝置包含存儲器單元。一些存儲器裝置可包含布置于所述裝置的多個層中的存儲器單元。隨著對存儲容量的需求增加，可增加一些存儲器裝置中的存儲器單元層的數目以容納增加的存...

本申請要求于2017年11月14日在韓國知識產權局(KIPO)提交的韓國專利申請No.10-2017-0151808的優先權，通過引用方式將所述申請整體并入本文。示例實施例一般地涉及半導體存儲器裝置，并且更具體地，涉及操作存儲器裝置的方法和執行所述方法的存儲器裝置。半導體存儲器裝置...

本案是分案申請。該分案的母案是申請日為2014年9月5日、申請號為201410453106.7、發明名稱為“半導體存儲裝置”的發明專利申請案。[相關申請案]本申請案享有以日本專利申請案2014-51876號(申請日：2014年3月14日)作為基礎申請案的優先權。本申請案通過參照該基礎申請案而包含基...

本申請要求于2017年12月5日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請第10-2017-0166193號的優先權，其公開內容通過引用整體并入本文。本發明構思涉及存儲設備，并且更具體地涉及被配置為執行用于主時鐘信號與數據時鐘信號之間的對準的訓練的存儲設備、包括存儲設備的存儲系統、以及操作存儲設備...

本發明涉及一種靜態隨機存取存儲器單元(staticrandomaccessmemorycell，SRAM)，尤其是涉及一種雙端口靜態隨機存取存儲器單元(dualPortstaticrandomaccessmemorycell，DPSRAM)。在一靜態隨機存取存儲器(st...

本申請要求2017年11月23日提交的韓國專利申請第10-2017-0157112號的優先權，其公開內容通過引用整體合并于此。各種實施例總體而言可以涉及一種半導體集成電路，并且更具體地，涉及一種半導體存儲器件。通常，半導體存儲器件可以儲存和輸出數據。對提供結合了低功耗和快速操作速度...

本發明涉及固態硬盤，更具體地說是一種提高獲取描述符狀態的方法、裝置、計算機設備及存儲介質。在SSD(固態硬盤)中，描述符狀態是用來顯示NAND完成描述符操作的情況，及時獲取描述符狀態可以有效的提高NAND信息的處理速度，同時可以及時的釋放處理完的通道，以提高NFC通道(Nandflash控...