一種具有阻銀結構的薄型電極釬焊陶瓷管殼的制作方法

文檔序號:18232462發布日期:2019-07-20 01:36
一種具有阻銀結構的薄型電極釬焊陶瓷管殼的制作方法

本發明涉及一種具有阻銀結構的薄型電極釬焊陶瓷管殼,屬于電力電子技術領域。



背景技術:

在節能減排和建設資源節約型經濟的基本國策引導下,電力電子器件及裝置小型化、輕量化、模塊化已成為當前發展的趨勢之一,陶瓷管殼作為器件封裝載體,相應地需要一些變更,而電極減薄方案是目前業內滿足輕量化和模塊化的有效手段,它不僅可以有效降低裝置重量和體積還可以擴大陶瓷管殼腔體空間,滿足壓接式IGBT等新型器件模塊化封裝的要求。

但薄型電極在釬焊過程中,由于焊料位置非常接近電極臺面,焊料極容易溢流到電極臺面上,這會改變電極表面電熱性能,是器件封裝所不允許的,因此薄型電極臺面焊料溢流問題是造成成品率低下的主要原因。



技術實現要素:

本發明所要解決的技術問題是針對上述現有技術提供一種具有阻銀結構的薄型電極釬焊陶瓷管殼,可以顯著延長銀焊料至電極表面的距離,解決薄型電極臺面焊料溢流的問題。

本發明涉及解決上述問題所采用的技術方案為:一種具有阻銀結構的薄型電極釬焊陶瓷管殼,包含有可以相互蓋合在一起的上蓋和陶瓷底座,所述上蓋包含有陰極電極和陰極法蘭,所述陶瓷底座包含有陽極法蘭、瓷環、陽極電極和陽極密封環,所述陽極法蘭同心焊接與瓷環的上端面,所述陽極密封環同心焊接于瓷環的下端面,所述陽極法蘭、瓷環和陽極密封碗自上至下疊合同心焊接,在所述陰極電極的外緣開設有至少三個連續的阻銀臺階,所述陰極法蘭同心焊接在陰極電極的中間陰極阻銀臺階外緣上,在所述陰極電極的下端面與下一級的陰極阻銀臺階的臺階面之間設置有陰極銀焊料,在所述陽極電極的外緣開設有至少三個連續的陽極阻銀臺階,所述陽極密封環內緣同心焊接在陽極電極的中間陽極阻銀臺階的外緣,在所述陽極密封環的上端面與下一級的陽極阻銀臺階的臺階面之間設置有陽極銀焊料。

優選地,所述的陰極阻銀臺階和陽極阻銀臺階的高度分別大于陰極法蘭和陽極法蘭的厚度。

與現有技術相比,本發明的優點在于:

本發明通過在電極法蘭與電極的釬焊位置對電極進行多臺階阻銀設計,顯著延長銀焊料至電極表面的距離,可以防止銀焊料在釬焊過程中溢流到電極臺面,提高產品的合格率。

附圖說明

圖1為本發明實施例一種具有阻銀結構的薄型電極釬焊陶瓷管殼的示意圖。

圖中上蓋1、陰極電極1.1、陰極法蘭1.2、陰極阻銀臺階1.3、陰極銀焊料1.4、陶瓷底座2、陽極法蘭2.1、瓷環2.2、陽極電極2.3、陽極密封環2.4、陽極阻銀臺階2.5、陽極銀焊料2.6。

具體實施方式

以下結合附圖實施例對本發明作進一步詳細描述。

如圖1所示,本實施例中的一種具有阻銀結構的薄型電極釬焊陶瓷管殼,包含有可以相互蓋合在一起的上蓋1和陶瓷底座2,所述上蓋1置于陶瓷底座2上。

所述上蓋1包含有陰極電極1.1和陰極法蘭1.2,在所述陰極電極1.1的外緣開設有三個陰極阻銀臺階1.3,所述的三個陰極阻銀臺階1.3由陰極電極1.1的下端面自上端面連續而成,所述陰極法蘭1.2同心焊接在陰極電極1.1的中間陰極阻銀臺階外緣上,且與中間陰極阻銀臺階的臺階面持平,在所述陰極電極1.2的下端面與最下層的陰極阻銀臺階的臺階面之間設置有陰極銀焊料1.4,所述陰極銀焊料1.4與中間陰極阻銀臺階的外緣緊密貼合。

所述陶瓷底座2包含有陽極法蘭2.1、瓷環2.2、陽極電極2.3和陽極密封環2.4,所述陽極法蘭2.1同心焊接與瓷環2.2的上端面,所述陽極密封環2.4同心焊接于瓷環的下端面,所述陽極法蘭2.1、瓷環2.2和陽極密封碗2.4自上至下疊合同心焊接,在所述陽極電極2.3的外緣開設有三個陽極阻銀臺階2.5,所述的三個陽極阻銀臺階2.5由陽極電極2.3的下端面自上端面連續而成,所述陽極密封環2.4內緣同心焊接在陽極電極2.3的中間陽極阻銀臺階2.5的外緣,在所述陽極密封環2.4的上端面與最下層的陽極阻銀臺階(焊接時會將圖中的陽極電極翻轉進行)的臺階面之間設置有陽極銀焊料2.6,所述陽極銀焊料2.6與中間陽極阻銀臺階的外緣緊密貼合。

本實施例中的具有阻銀結構的薄型電極釬焊陶瓷管殼,至少要設置三級連續的阻銀臺階結構,并且陰極法蘭或陽極法蘭的位置必須設置與電極正反臺面連接的臺階以外的臺階外緣上,例如在本實施例的三級連續阻銀臺階結構,法蘭焊接位置處于中間臺階的外緣上,在進行具體釬焊時,由于銀材料在焊接時會向上流動,即流到中間臺階的臺階面上,最終被電極臺面一級的臺階阻擋而無法流到電極臺面上。

為了能進行焊接作業,將法蘭焊接在臺階外緣上,所述的陰極阻銀臺階1.3和陽極阻銀臺階2.5的高度必須分別大于陰極法蘭1.2和陽極法蘭2.1的厚度。

除上述實施例外,本發明還包括有其他實施方式,凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術方案,均應落入本發明權利要求的保護范圍之內。

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