陣列基板及其制造方法、液晶顯示器與流程

文檔序號:18160629發布日期:2019-07-13 09:19
陣列基板及其制造方法、液晶顯示器與流程

本發明涉及液晶顯示技術領域,特別是涉及陣列基板及其制造方法、液晶顯示器。



背景技術:

液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD),根據其所使用的光源的類型和光源的設置方式,可以分為透射式液晶顯示器、半透射式液晶顯示器和反射式液晶顯示器。

就反射式液晶顯示器而言,其通過反射環境光,或者反射設置于顯示面板前方的光源發出的光線來顯示畫面。由于受限于環境光或前方光源的入射方向限制,現有反射式液晶顯示面板的顯示視角太小,且亮度不夠均勻。



技術實現要素:

本發明主要解決的技術問題是提供陣列基板及其制造方法、液晶顯示器,能夠擴大顯示器的視角,增加顯示器的亮度。

為解決上述技術問題,本發明采用的一個技術方案是:提供一種陣列基板,該陣列基板包括襯底基板以及依次形成于襯底基板上的反射層以及彩膜層;其中,彩膜層的厚度從彩膜層的中間向彩膜層的邊緣減小。

其中,彩膜層靠近反射層的一面為平面,背離反射層的一面為曲面。

其中,彩膜層為紅色光阻層、綠色光阻層或藍色光阻層。

其中,還包括設置在反射層靠近襯底基板一側的薄膜晶體管以及依序設置在彩膜層遠離襯底基板一側的像素電極、絕緣層和公共電極。

其中,薄膜晶體管包括依次形成于襯底基板上的柵極、柵極絕緣層、源漏層;其中,源漏層包括低溫多晶硅以及在低溫多晶硅兩側經過摻雜分別形成的源極和漏極。

其中,反射層為金屬反射層,金屬反射層與漏極連接;金屬反射層通過彩膜層上的通孔與像素電極連接。

為解決上述技術問題,本發明采用的另一個技術方案是:提供一種陣列基板的制造方法,該方法包括:提供一襯底基板;在襯底基板上依次形成反射層以及彩膜層;對彩膜層進行蝕刻,以使彩膜層中間的厚度大于邊緣的厚度。

其中,彩膜層采用負性光刻膠制成;對彩膜層進行蝕刻,以使彩膜層中間的厚度大于邊緣的厚度,包括:采用遮光板遮擋彩膜層;其中,遮光板的透光率從遮光板的中間向遮光板的邊緣減??;對彩膜層進行曝光;對彩膜層進行顯影,以使彩膜層的厚度從彩膜層的中間向彩膜層的邊緣減小。

其中,在襯底基板上依次形成反射層以及彩膜層之前,還包括:在襯底基板上形成薄膜晶體管;對彩膜層進行蝕刻,以使彩膜層中間的厚度大于邊緣的厚度之后,還包括:在彩膜層上依次形成像素電極、絕緣層以及公共電極。

為解決上述技術問題,本發明采用的另一個技術方案是:提供一種液晶顯示器,該液晶顯示器包括陣列基板、上基板以及陣列基板和上基板之間的液晶層;其中,陣列基板是如上的陣列基板。

本發明的有益效果是:區別于現有技術的情況,本發明的陣列基板包括襯底基板以及依次形成于襯底基板上的反射層以及彩膜層;其中,彩膜層的厚度從彩膜層的中間向彩膜層的邊緣減小。通過上述方式,彩膜層采用中間厚、邊緣薄的結構,形成近似的平凸鏡,對入射光纖反射后形成的反射光具有發散作用,進而使光線的出射角被放大,擴大了顯示器的視角,增加顯示器的亮度。

附圖說明

圖1是本發明陣列基板第一實施方式的結構示意圖;

圖2是本發明陣列基板第一實施方式的光路示意圖;

圖3是本發明陣列基板第二實施方式的結構示意圖;

圖4是本發明陣列基板的制作方法一實施方式的流程示意圖;

圖5是本發明陣列基板的制作方法一實施方式中彩膜層的制作示意圖;

圖6是本發明液晶顯示器一實施方式的結構示意圖。

具體實施方式

參閱圖1,本發明陣列基板第一實施方式的結構示意圖,該陣列基板包括襯底基板11以及依次形成于襯底基板11上的反射層12以及彩膜層13。

其中,襯底基板11一般為透明的玻璃基板。

其中,彩膜層13的厚度從彩膜層13的中間向彩膜層13的邊緣減小。

可選的,在本實施方式中,彩膜層13靠近反射層12的一面為平面,背離反射層12的一面為曲面。

可選的,彩膜層13為紅色光阻層、綠色光阻層或藍色光阻層??梢岳斫獾?,圖1所示僅為陣列基板一個像素的截面圖,其中的彩膜層13僅有一種顏色,在整個陣列基板上,相鄰的像素點的顏色不同,例如,可以是紅、綠、藍三色交替陣列分布。

如圖2所示,其中,向下的箭頭表示入射光,向上的箭頭表示出射光。

可以理解的,彩膜層13靠近反射層12的一面為平面,背離反射層12的一面為曲面。即彩膜層13的一部分為類似平凸鏡的結構,平凸鏡能夠匯聚光線,當入射光線照射到彩膜層13后經過彩膜層13的折射和反射層12的反射后使光線的出射角度被放大。

區別于現有技術,本實施方式的陣列基板包括襯底基板以及依次形成于襯底基板上的反射層以及彩膜層;其中,彩膜層的厚度從彩膜層的中間向彩膜層的邊緣減小。通過上述方式,彩膜層采用中間厚、邊緣薄的結構,形成近似的平凸鏡,對入射光纖反射后形成的反射光具有發散作用,進而使光線的出射角被放大,擴大了顯示器的視角,增加顯示器的亮度。

參閱圖3,本發明陣列基板第二實施方式的結構示意圖,該陣列基板包括襯底基板31以及依次形成于該襯底基板31上的薄膜晶體管32、反射層33、彩膜層34,像素電極35,絕緣層36以及公共電極37。

其中,薄膜晶體管32包括依次形成于襯底基板上31的柵極321、柵極絕緣層322、源漏層;其中,源漏層包括低溫多晶硅323以及在低溫多晶硅323兩側經過摻雜分別形成的源極324和漏極325。

具體地的,在柵極絕緣層322上形成低溫多晶硅323,并對該低溫多晶硅323的兩側進行重型摻雜,再在低溫多晶硅323上形成一層金屬,并對金屬進行圖形化,以分別形成源極324、漏極325以及反射層33。其中,漏極325和反射層33是連接的,源極324和漏極325分別連接低溫多晶硅323上經過重型摻雜的兩側。

另外,金屬反射層33通過彩膜層34上的通孔341與像素電極35連接。

在具體實現中,當連接柵極321的掃描信號使薄膜晶體管32導通時,即源極324和漏極325導通,連接源極324的數據線將數據信號通過源極324、漏極325、反射層33傳遞到像素電極35,以使像素電極35和公共電極37之間形成壓差,使液晶分子發生偏轉,從而控制圖像的顯示。

可選的,在其他實施方式中,公共電極37也可以不設置在陣列基板上,而是設置在上基板上,液晶分子位于上基本和陣列基板之間。

可選的,在其他實施方式中,薄膜晶體管32也可以是頂柵型的,其摻雜方式也可以進行替換。

可以理解的,本實施方式中對于除反射層33和彩膜層34之外的其他結構,均為舉例,并不限制本發明的保護范圍。

參閱圖4,本發明陣列基板的制作方法一實施方式的流程示意圖,該方法包括:

S41:提供一襯底基板。

可選的,襯底基板是透明的玻璃基板。

S42:在襯底基板上依次形成反射層以及彩膜層。

可選的,在襯底基板上形成反射層以及彩膜層的方法,可以是通過物理氣相沉積或化學氣相沉積的方式。

S43:對彩膜層進行蝕刻,以使彩膜層中間的厚度大于邊緣的厚度。

如圖5所示,51為陣列基板,52為彩膜層,采用負性光阻,即負性光刻膠制成,53為遮光板。其中,遮光板53中間的透光性大于邊緣的透光性。具體地,可以通過調節遮光板53各個區域的厚度來改變透光性,例如中間為鏤空,然后往邊緣逐漸加厚。

具體流程如下:

采用遮光板53遮擋彩膜層52;其中,遮光板53的透光率從遮光板53的中間向遮光板53的邊緣減??;對彩膜層52進行曝光;對彩膜層2進行顯影,以使彩膜層52的厚度從彩膜層52的中間向彩膜層52的邊緣減小。

由于彩膜層52由負性光阻制成,因此通過顯影工藝后,被曝光的部分留在陣列基板51上,其余部分根據爆分的程度不同,則厚度不同,所以彩膜層52的厚度從中間向邊緣減少。

可選的,在S42之前,還可以包括:在襯底基板上形成薄膜晶體管。

可選的,在S43之后,還可以包括:在彩膜層上依次形成像素電極、絕緣層以及公共電極。

參閱圖6,本發明液晶顯示器一實施方式的結構示意圖,該液晶顯示器包括陣列基板61、上基板62以及陣列基板61和上基板62之間的液晶層63。

可選的,在上基板62遠離液晶層63的一側,還包括偏光片64。

其中,陣列基板61包括彩膜層,彩膜層的厚度從彩膜層的中間向彩膜層的邊緣減小,以使彩膜層對出射光線具有發散作用,從而擴大液晶顯示器的視角。

其中,陣列基板61是如上各個實施方式中所描述的的陣列基板,其實施方式類似,這里不再贅述。

可選的,在其他實施方式中,也可以將彩膜層或者公共電極設置在上基板上。

以上所述僅為本發明的實施方式,并非因此限制本發明的專利范圍,凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換,或直接或間接運用在其他相關的技術領域,均同理包括在本發明的專利保護范圍內。

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